Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Krymov V.M., Maslov V.N., Bougrov V.E., Romanov A.E. HVPE growth of GaN layers on cleaved beta-Ga2O3 substrates // Key Engineering Materials (Book Series) - 2016, Vol. 674, pp. 302-307


2. Nikolaev V.I., Golovatenko A.A., Mynbaeva M.G., Nikitina I.P., Seredova N.V., Pechnikov A.I., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2014, Vol. 11, No. 3-4, pp. 502-504


3. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


4. Abyzov A.M., Shakhov F.M., Averkin A.I., Nikolaev V.I. Mechanical properties of a diamond-copper composite with high thermal conductivity // Materials and Design - 2015, Vol. 87, pp. 527-539


5. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


6. Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 178-185


7. Шарофидинов Ш.Ш., Николаев В.И., Смирнов А.Н., Чикиряка А.В., Никитина И.П., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Романов А.Е. Снижение трещинообразования при росте ALN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 4. - С. 549-552


8. Кукушкин С.А., Николаев В.И., Осипов А.В., Осипова Е.В., Печников А.И., Феоктистов Н.А. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si // Физика твердого тела - 2016. - Т. 58. - № 9. - С. 1812-1817


9. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Epitaxial growth of (2-01) Beta-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy // Materials Science in Semiconductor Processing - 2016, Vol. 47, pp. 16-19


10. Maslov V.N., Nikolaev V.I., Krymov V.M., Bugrov V.E., Romanov A.E. Deposition of beta-Ga2O3 layers by sublimation on sapphire substrates of different orientations // Physics of the solid state - 2015, Vol. 57, No. 7, pp. 1342-1346


11. Виноградова К.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Деградация белых и синих светодиодов при длительном времени работы // Известия высших учебных заведений. Приборостроение - 2013. - Т. 56. - № 11. - С. 87-91


12. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


13. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983


14. Priadko A.I., Nikolaev V.I., Pulnev S.A., Stepanov S.I., Rogov A.V., Chikiryaka A.V., Shmakov O.A. Shape memory Cu-Al-Ni single crystals for application in rotary actuators // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 1, pp. 83-87


15. Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000


16. Nikolaev V.I., Yakushev P.N., Malygin G.A., Averkin A.I., Pulnev S.A., Zograf G.P., Kustov S.B., Chumlyakov Y.I. Influence of partial shape memory deformation on the burst character of its recovery in heated Ni-Fe-Ga-Co alloy crystals // Technical Physics Letters - 2016, Vol. 42, No. 4, pp. 399-402


17. Sharofidinov S.S., Nikolaev V.I., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Nikitina I.P., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 4, pp. 541-544


18. Гузилова Л.И., Маслов В.Н., Васильева Е.С., Николаев В.И., Романов А.Е. Микротвердость и модуль упругости монокристаллов beta-Ga2O3, выращенных из собственного расплава // Физическое материаловедение: VII Международная школа с элементами научной школы для молодежи (Тольятти, 31января-5февраля 2016г.): сборник материалов - 2016. - С. 99-100


19. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Ситникова А.А., Кириленко Д.А., Лаврентьев А.А., Иванова Е.В., Николаев В.И. Пластины кристаллического GaN большой площади // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 5. - С. 84-90


20. Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Мынбаева М.Г., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Степанов С.И., Николаев В.И. Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке [Thick GaN layers on silicon substrate] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 53-58


21. Маслов В.Н., Крымов В.М., Блашенков М.Н., Головатенко А.А., Николаев В.И. Выращивание кристаллов beta-Ga2O3 из собственного расплава // Письма в Журнал технической физики - 2014. - Т. 40. - № 7. - С. 56-61


22. Николаев В.И., Аверкин А.И., Егоров В.М., Малыгин Г.А., Пульнев С.А. Влияние неполной деформации памяти формы на генерацию реактивных напряжений в монокристаллах сплава Cu-Al-Ni // Физика твердого тела - 2014. - Т. 56. - № 3. - С. 508-511


23. Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 11. - С. 1573-1577


24. Маслов В.Н., Николаев В.И., Крымов В.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Осаждение слоев beta-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций // Физика твердого тела - 2015. - Т. 57. - № 7. - С. 1315-1319


25. Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Feoktistov N.A. Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate // Physics of the solid state - 2016, Vol. 58, No. 9, pp. 1876-1881


26. Nikolaev V.I., Maslov V.N., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Krymov V.M., Nikitina I.P., Guzilova L.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Growth and characterization of beta-Ga2O3 crystals // Journal of Crystal Growth - 2017, Vol. 457, pp. 132–136


27. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147


28. Kustov S.B., Mas B., Salas D., Cesari E., Raufov S.C., Nikolaev V.I., Van Humbeeck J. On the effect of room temperature ageing of Ni-rich Ni-Ti alloys // Scripta Materialia - 2015, Vol. 103, pp. 10–13


29. Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 178-185


30. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38


31. Гузилова Л.И., Маслов В.Н., Айфантис К., Романов А.Е., Николаев В.И. Определение значения микротвёрдости по методу Виккерса в монокристаллах b-Ga2O3, выращенных из собственного расплава // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 3(97). - С. 546-549


32. Mynbaeva M.G., Pechnikov A.I., Sitnikova A.A., Kirilenko D.A., Lavrent'Ev A.A., Ivanova E.V., Nikolaev V.I. Large-area crystalline GaN slabs // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 3, pp. 246-248


33. Маслов В.Н., Крымов В.М., Калашников Е.В., Николаев В.И. Монокристаллы бета-Ga2O3, выращенные из расплава оксидов галлия и алюминия [Single crystals of Beta-Ga2O3, grown from the melt of gallium and aluminum oxides] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014. - Т. 21. - № 2. - С. 194-199


34. Nikolaev V.I., Malygin G.A., Averkin A.I., Stepanov S.I., Zograf G.P. Anomalous stress-strain behaviour in Ni49Fe18Ga27Co6 crystals compressed along [110] // Materials Today: Proceedings - 2017, Vol. 4, No. 3, pp. 4807-4813


35. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


36. Гузилова Л.И., Гращенко А.С., Печников А.И., Маслов В.Н., Завьялов Д.В., Абдрахманов В.Л., Романов А.Е., Николаев В.И. Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов beta-Ga2O3 методом наноиндентирования [Study of beta-Ga2O3 epitaxial layers and single crystals by nanoindentation technique] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016. - Т. 29. - № 2. - С. 166-171


37. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36


38. Аверкин А.И., Якушев П.Н., Трофимова Е.В., Зограф Г.П., Тимашов Р.Б., Пульнев С.А., Кустов С.Б., Николаев В.И. Особенности восстановления деформации памяти формы в монокристаллах сплавов Cu-Al-Ni [Shape memory deformation recovery features in Cu-Al-Ni single crystals] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 64-68


39. Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120


40. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


41. Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000


42. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983


43. Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Gallium Oxide: Properties and Applications - a Review // Reviews on Advanced Materials Science - 2016, Vol. 44, No. 1, pp. 63-86


44. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142


45. Maslov V.N., Krymov V.M., Блашенков М.Н., Блашенков Н.М., Golovatenko A.A., Nikolaev V.I. Beta-Ga2O3 crystal growing from its own melt // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 4, pp. 303-305


46. Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 11, pp. 1535-1538


47. Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Feoktistov N.A. Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate // Physics of the solid state - 2016, Vol. 58, No. 9, pp. 1876-1881


48. Kustov S., Cesari E., Liubimova I., Nikolaev V., Salje E. Twinning in Ni-Fe-Ga-Co shape memory alloy: Temperature scaling beyond the Seeger model // Scripta Materialia - 2017, Vol. 134, pp. 24-27


49. Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Kremleva A.V., Mynbaeva M.G., Nikolaev V.I. Analysis of stacking faults in gallium nitride by Fourier transform of high-resolution images // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 12, pp. 1117-1120


50. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Maslov V.N., Golovatenko A.A., Krymov V.M., Stepanov S.I., Zhumashev N.K., Bougrov V.E., Romanov A.E. GaN growth on beta-Ga2O3 substrates by HVPE // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 22, No. 1, pp. 59-63


51. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)