Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Свёнтек З. Дефекты в имплантированных мышьяком р+–n и n+–p структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ // Известия высших учебных заведений. Физика - 2017. - Т. 60. - № 10. - С. 92-97


2. Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E. Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 11, pp. 1041-1043


3. Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode // Optical Review - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 683-686


4. Timoshkov A.O., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 1, pp. 88-93


5. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Marin D.V., Yakushev M.V. Photoluminescence of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mercury Cadmium Telluride: Comparison of HgCdTe/GaAs and HgCdTe/Si Technologies // Journal of Electronic Materials - 2018, pp. 1-6


6. Mynbaev K.D., Zablotsky S.V., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 2, pp. 208-211


7. Mynbaeva M.G., Lavrent’Ev A.A., Mynbaev K.D. Formation of graphite/sic structures by the thermal decomposition of silicon carbide // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 138-142


8. Zablotsky S.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states and carrier lifetime in heteroepitaxial HgCdTe-on-Si for mid-infrared photodetectors // Journal of Physics: Conference Series - 2015, Vol. 643, pp. 012004


9. Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board // Optical Review - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 655-658


10. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures // Infrared Physics and Technology - 2017, Vol. 85, pp. 246-250


11. Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 9. - С. 1206-1211


12. Swiatek Z., Yakushev M.V., Izhnin I.I., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2016, Vol. 13, No. 7-9, pp. 461–464


13. Мынбаев К.Д., Заблоцкий С.В., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 2. - С. 208-211


14. Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Marin D.V., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G. Acceptor states in HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs and Si substrates // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2016, Vol. 13, No. 7-9, pp. 469–472


15. Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 3, pp. 367-372


16. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Sidorov Y.G., Dvoretsky S.A. Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted p+-n photodiode structure formation // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 8, pp. 708-711


17. Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных «p+–n» фотодиодных структур // Письма в Журнал технической физики - 2014. - Т. 40. - № 16. - С. 65-72


18. Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E. Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science - 2015, Vol. 212, No. 12, pp. 2964-2967


19. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


20. Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voytsekhovskiy A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M. Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies // Opto-electronics Review - 2017, Vol. 25, No. 2, pp. 148-170


21. Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M., Dvoretsky S.A. Background donor concentration in HgCdTe // Opto-electronics Review - 2015, Vol. 23, No. 3, pp. 200-207


22. Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Semakova A.A., Bykhanova E.V., Bazhenov N.L. Luminescence of II–VI and III–V nanostructures // Opto-electronics Review - 2017, Vol. 25, No. 3, pp. 209-214


23. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


24. Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д. Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 1. - С. 138-142


25. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38


26. Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 6(94). - С. 71-76


27. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147


28. Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Light emission from CdHgTe-based nanostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014, Vol. 21, No. 2, pp. 112-118


29. Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120


30. Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 11. - С. 1573-1577


31. Мынбаев К.Д., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно–лучевой эпитаксией // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 3. - С. 379-384


32. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


33. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


34. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


35. Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films // EPJ Web of Conferences - 2017, Vol. 133, pp. UNSP 01001


36. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36


37. Свёнтек З., Озга П., Ижин Г.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок cdhgte // Известия высших учебных заведений. Физика - 2016. - Т. 59. - № 3. - С. 110-113


38. Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х.К., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84


39. Malyshev A.G., Jumashev N.K., Lukyanov G.N., Mynbaev K.D., Rassadina A.A. Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function // Journal of Physics: Conference Series - 2015, Vol. 643, pp. 012026


40. Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 21. - С. 38-44


41. Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 2(96). - С. 202-210


42. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах // Письма в Журнал технической физики - 2013. - Т. 39. - № 24. - С. 1-8


43. Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 11, pp. 1535-1538


44. Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D. Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in 4.2–300 K temperature range // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052005


45. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244


46. Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 444-448


47. Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap Cd xHg1–xTe solid solutions: Radiative recombination // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 9, pp. 1170-1175


48. Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in Cd (x) Hg1-x Te narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 4, pp. 432-436


49. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD" // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142402(1-5)


50. Shilyaev A.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Greshnov A.A. Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions // Technical Physics - 2017, Vol. 62, No. 3, pp. 441-448


51. Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures // Applied Nanoscience - 2018, pp. 1-6


52. Bonchyk O.Y., Savytskyy H., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V. Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study // Applied Nanoscience - 2018, No. ?, pp. 1-6


53. Izhnin I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Fitsych O.I. Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching // Infrared Physics & Technology - 2015, Vol. 73, pp. 158-165


54. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142


55. Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Voitsekhovskii A.V., Sheregii E. Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic // Journal of Applied Physics - 2014, Vol. 115, No. 16, pp. 163501


56. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD" // Оптический журнал - 2013. - Т. 80. - № 12. - С. 45-52


57. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368