Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Kolodeznyi E.S., Ivukin I.N., Serebryakova V.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014, Vol. 21, No. 3, pp. 283-287


2. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433


3. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 76-81


4. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 284-288


5. Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе бета-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов [Comparison of characteristics of schottky diodes based on бета-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 24. - № 2. - С. 194-200


6. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415


7. Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 71-75