Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Антон Юрьевич Егоров

Антон Юрьевич Егоров

Публикации

1. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303


2. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Влияние конструкции переходного слоя In0.52Al0.48As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов // Письма в Журнал технической физики - 2016. - Т. 42. - № 6. - С. 14-19


3. Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 569-572


4. Egorov A.Y., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Nikitina E.V., Tchernycheva M., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-µm under current pumping // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1527-1530


5. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Usikova A.A., Zadiranov Y.M., Il’Inskaya N.D., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Power increase in Q-switched two-sectional quantum well lasers due to Stark effect // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 10, pp. 984-986


6. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Nevedomskiy V.N., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-locking and Q-switching in 1.06 mu m two-sectional QW lasers due to stark effect // International Conference Laser Optics, LO 2016 - 2016, pp. R37


7. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


8. Баранов А.И., Гудовских А.С., Зеленцов К.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 534-538


9. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1522-1526


10. Nikitina E.V., Gudovskikh A.S., Lazarenko A.A., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Morozov I.A., Egorov A.Y. GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 652-655


11. Никитина Е.В., Гудовских А.С., Лазаренко А.А., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Зеленцов К.С., Морозов И.А., Егоров А.Ю. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 663-667


12. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Соболев М.С., Пирогов Е.В., Денисов Д.В., Егоров А.Ю. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP1-xNx и GaP1-x-y Nx Asy, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 489-493


13. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 612-615


14. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 624-627


15. Pozina G.R., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L.I., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y., Clark S.J. Super-radiant mode in InAs-monolayer-based Bragg structures // Scientific Reports - 2015, Vol. 5, pp. 14911


16. Babichev A.V., Zhang H., Guan N., Egorov A.Y., Julien F.H., Messanvi A., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 8, pp. 1097-1101


17. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Karachinsky L.Y., Blokhin S.A., Novikov I.I., Egorov A.Y., Maximov M.V., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Ustinov V.M. Evidence of negative electrorefraction in type-II GaAs/GaAlAs short-period superlattice // Semiconductor Science and Technology - 2015, Vol. 30, No. 11, pp. 115013


18. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433


19. Zaitsev D.A., Il'Ynskaya N.D., Koudinov A.V., Poletaev N.K., Nikitina E.V., Egorov A.Y., Kavokin A.V., Seisyan R.P. Diffusive Propagation of Exciton-Polaritons through Thin Crystal Slabs // Scientific Reports - 2015, Vol. 5, pp. 11474


20. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415


21. Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Kurochkin A.S., Egorov A.Y. Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520-1580 nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 9, pp. 1186-1190


22. Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 mu m // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1299–1303


23. Goray L., Egorov A.Y. Breaking the efficiency limit for high-frequency blazed multilayer soft x-ray gratings: Conical vs classical diffraction // Applied Physics Letters - 2016, Vol. 109, No. 10, pp. 103502


24. Гаджиев И.М., Буяло М.С., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Усикова А.А., Ильинская Н.Д., Лютецкий А.В., Задиранов Ю.М., Портной Е.Л. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 6. - С. 843-847


25. Бабичев А.В., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 4. - С. 518-522


26. Babichev A.V., Zhang H., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Lin Y.T., Tu L.W., Tchernycheva M. GaN nanowire ultraviolet photodetector with a graphene transparent contact // Applied Physics Letters - 2013, Vol. 103, No. 20, pp. 201103


27. Zhang H., Babichev A.V., Jacopin G..., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Zhang J..., Pauporte T..., Tchernycheva M... Characterization and modeling of a ZnO nanowire ultraviolet photodetector with graphene transparent contact // Journal of Applied Physics - 2013, Vol. 114, No. 23, pp. 234505


28. Бакланов А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю., Конников С.Г. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 9. - С. 1186-1191


29. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1569-1573


30. Gadzhiyev I.M., Buyalo M.S., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Usikova A.A., Il'Inskaya N.D., Lyutetskiy A.V., Zadiranov Y.M., Portnoi E.L. Switching between the mode-locking and Q-switching modes in two-section QW lasers upon a change in the absorber properties due to the Stark effect // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 6, pp. 828-831


31. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


32. Baranov A.I., Kleider J.P., Gudovskikh A.S., Darga A., Nikitina E.V., Egorov A.Y. Deep-level study of Ga(In)P(NAs) alloys grown on Si substrates // Journal of Physics: Conference Series - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012077


33. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303


34. Lazarenko A.A., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Egorov A.Y. The influence of an In0.52Al0.48As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor // Technical Physics Letters - 2016, Vol. 42, No. 3, pp. 284-286


35. Dagnelund D., Stehr J., Egorov A.Y., Chen W.M., Buyanova I.A. Optically detected magnetic resonance studies of point defects in quaternary GaNAsP epilayers grown by vapor phase epitaxy // Applied Physics Letters - 2013, Vol. 102, No. 2, pp. 021910


36. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 284-288


37. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 20. - С. 30-36


38. Егоров А.Ю., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Никитина Е.В., Tchernycheva M., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1574-1577


39. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 76-81


40. Pozina G., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y. Nonlinear behavior of the emission in the periodic structure of InAs monolayers embedded in a GaAs matrix // Physica status solidi (b) - 2016, pp. 1-6


41. Мизеров А.М., Кладько П.Н., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111) // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 2. - С. 283-286


42. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Березовская Т.Н., Неведомский В.Н. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440-1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1434-1438