Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Антон Юрьевич Егоров

Антон Юрьевич Егоров

Публикации

1. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 170


2. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 76-81


3. Kryzhanovskaya N.V., Polubavkina Y.S., Nevedomskiy V.N., Nikitina E.V., Lazarenko A.A., Egorov A.Y., Maximov M.V., Moiseev E.I., Zhukov A.E. Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 267-271


4. Kozyreva O.A., Solov'Ev V.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052029


5. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 6. - С. 597-602


6. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303


7. Никитина Е.В., Гудовских А.С., Лазаренко А.А., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Зеленцов К.С., Морозов И.А., Егоров А.Ю. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 663-667


8. Мизеров А.М., Кладько П.Н., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111) // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 2. - С. 283-286


9. Бабичев А.В., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 4. - С. 518-522


10. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 1082-1085


11. Babichev A.V., Denisov D.V., Filimonov A.V., Nevedomsky V.N., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Sokolovskii G.S., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Molecular-beam epitaxy of 7-8 um range quantum-cascade laser heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012081


12. Lazarenko A.A., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Egorov A.Y. The influence of an In0.52Al0.48As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor // Technical Physics Letters - 2016, Vol. 42, No. 3, pp. 284-286


13. Dagnelund D., Stehr J., Egorov A.Y., Chen W.M., Buyanova I.A. Optically detected magnetic resonance studies of point defects in quaternary GaNAsP epilayers grown by vapor phase epitaxy // Applied Physics Letters - 2013, Vol. 102, No. 2, pp. 021910


14. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1569-1573


15. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Березовская Т.Н., Неведомский В.Н. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440-1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1434-1438


16. Baranov A.I., Gudovskikh A., Kudryashov D.A., Lazarenko A.A., Morozov I.A., Mozharov A.M., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Egorov A.Y., Darga A., Le Gall S., Kleider J.P. Defect properties of InGaAsN layers grown as sub-monolayer digital alloys by molecular beam epitaxy // Journal of Applied Physics - 2018, Vol. 123, No. 16, pp. 161418


17. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415


18. Nikitina E.V., Gudovskikh A.S., Lazarenko A.A., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Morozov I.A., Egorov A.Y. GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 652-655


19. Babichev A.V., Zhang H., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Lin Y.T., Tu L.W., Tchernycheva M. GaN nanowire ultraviolet photodetector with a graphene transparent contact // Applied Physics Letters - 2013, Vol. 103, No. 20, pp. 201103


20. Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 569-572


21. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


22. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum // Technical Physics Letters - 2017, Vol. 43, No. 7, pp. 666-669


23. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


24. Babichev A.V., Sokolovskii G.S., Ustinov V.M., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of 8-9 mu m spectral range // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 173


25. Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Filimonov A.V., Novikov I.I., Egorov A.Y. Semiconductor light sources for near- and mid-infrared spectral ranges // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 2, pp. 022003


26. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 745-749


27. Baranov A.I., Kleider J.P., Gudovskikh A.S., Darga A., Nikitina E.V., Egorov A.Y. Deep-level study of Ga(In)P(NAs) alloys grown on Si substrates // Journal of Physics: Conference Series - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012077


28. Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 mu m // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1299–1303


29. Goray L., Egorov A.Y. Breaking the efficiency limit for high-frequency blazed multilayer soft x-ray gratings: Conical vs classical diffraction // Applied Physics Letters - 2016, Vol. 109, No. 10, pp. 103502


30. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1522-1526


31. Егоров А.Ю., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Никитина Е.В., Tchernycheva M., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1574-1577


32. Babichev A.V., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Sirbu A., Mikhailov S., Iakovlev V., Blokhin S.A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. Vertical-Cavity Surface-Emitting 1.55-?m Lasers Fabricated by Fusion // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 1, pp. 24-27


33. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 mum на основе "тонких" квантовых ям // Письма в Журнал технической физики - 2018. - Т. 44. - № 4. - С. 95-102


34. Pozina G., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y. Nonlinear behavior of the emission in the periodic structure of InAs monolayers embedded in a GaAs matrix // Physica status solidi (b) - 2017, Vol. 254, No. 4, pp. 1600402


35. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 612-615


36. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 624-627


37. Бакланов А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю., Конников С.Г. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 9. - С. 1186-1191


38. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Соболев М.С., Пирогов Е.В., Денисов Д.В., Егоров А.Ю. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP1-xNx и GaP1-x-y Nx Asy, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 489-493


39. Egorov A.Y., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Nikitina E.V., Tchernycheva M., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-µm under current pumping // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1527-1530


40. Pozina G., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Egorov A.Y. Experimental Study of Spontaneous Emission in Bragg Multiple- Quantum-Well Structures with InAs Single-Layer Quantum Wells // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 7, pp. 877-880


41. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303


42. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion // AIP Conference Proceedings - 2017, Vol. 1874, pp. 040019


43. Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012082


44. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Agustin M., Ledentsov N.N., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Continuous wave and modulation performance of 1550 nm band wafer-fused VCSELs with MBE-grown InP-based active region and GaAs-based DBRs // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10122, pp. 1012208


45. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Nevedomskiy V.N., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-locking and Q-switching in 1.06 mu m two-sectional QW lasers due to stark effect // International Conference Laser Optics, LO 2016 - 2016, pp. R37


46. Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Kurochkin A.S., Egorov A.Y. Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520-1580 nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 9, pp. 1186-1190


47. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433


48. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Влияние конструкции переходного слоя In0.52Al0.48As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов // Письма в Журнал технической физики - 2016. - Т. 42. - № 6. - С. 14-19


49. Zhang H., Babichev A.V., Jacopin G..., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Zhang J..., Pauporte T..., Tchernycheva M... Characterization and modeling of a ZnO nanowire ultraviolet photodetector with graphene transparent contact // Journal of Applied Physics - 2013, Vol. 114, No. 23, pp. 234505


50. Гаджиев И.М., Буяло М.С., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Усикова А.А., Ильинская Н.Д., Лютецкий А.В., Задиранов Ю.М., Портной Е.Л. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 6. - С. 843-847


51. Pozina G.R., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L.I., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y., Clark S.J. Super-radiant mode in InAs-monolayer-based Bragg structures // Scientific Reports - 2015, Vol. 5, pp. 14911


52. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Usikova A.A., Zadiranov Y.M., Il’Inskaya N.D., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Power increase in Q-switched two-sectional quantum well lasers due to Stark effect // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 10, pp. 984-986


53. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Karachinsky L.Y., Blokhin S.A., Novikov I.I., Egorov A.Y., Maximov M.V., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Ustinov V.M. Evidence of negative electrorefraction in type-II GaAs/GaAlAs short-period superlattice // Semiconductor Science and Technology - 2015, Vol. 30, No. 11, pp. 115013


54. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 9. - С. 1034-1037


55. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 194-197


56. Баранов А.И., Гудовских А.С., Зеленцов К.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 534-538


57. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 20. - С. 30-36


58. Zaitsev D.A., Il'Ynskaya N.D., Koudinov A.V., Poletaev N.K., Nikitina E.V., Egorov A.Y., Kavokin A.V., Seisyan R.P. Diffusive Propagation of Exciton-Polaritons through Thin Crystal Slabs // Scientific Reports - 2015, Vol. 5, pp. 11474


59. Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 9, pp. 1156-1159


60. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. 6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017, Vol. 53, No. 6, pp. 8038783


61. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kalosha V.P., Ledentsov N.J., Agustin M., Kropp J.R., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Payusov A.S., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Zhukov A.E., Egorov A.Y. Virtual cavity in distributed Bragg reflectors // Optics express - 2018, Vol. 26, No. 19, pp. 25280-25292


62. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 mu m Spectral Range // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 2, pp. 174-177


63. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Egorov A.Y. Lasing of metamorphic hybrid 1300nm spectral band VCSEL under optical pumping up to 120 °C // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10098, pp. 1009811


64. Kurochkin A.S., Babichev A.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers in the 7-8 um spectral range with full top metallization // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 993, No. 1, pp. 012031


65. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 284-288


66. Gadzhiyev I.M., Buyalo M.S., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Usikova A.A., Il'Inskaya N.D., Lyutetskiy A.V., Zadiranov Y.M., Portnoi E.L. Switching between the mode-locking and Q-switching modes in two-section QW lasers upon a change in the absorber properties due to the Stark effect // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 6, pp. 828-831


67. Babichev A.V., Zhang H., Guan N., Egorov A.Y., Julien F.H., Messanvi A., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 8, pp. 1097-1101