Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Zhang H., Guan N., Piazza V., Kapoor A., Bougerol C., Julien F.H., Babichev A.V., Cavassilas N., Bescond M., Michelini F., Foldyna M., Gautier E., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Comprehensive analyses of core-shell InGaN/GaN single nanowire photodiodes // Journal of Physics D: Applied Physics - 2017, Vol. 50, No. 48, pp. 484001


2. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 6. - С. 597-602


3. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 612-615


4. Zhang H., Messanvi A., Durand C., Eymery J., Lavenus P., Babichev A.V., Julien F.H., Tchernycheva M. InGaN/GaN core/shell nanowires for visible to ultraviolet range photodetection // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science - 2016, Vol. 213, No. 4, pp. 936-940


5. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1569-1573


6. Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 9, pp. 1156-1159


7. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. 6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017, Vol. 53, No. 6, pp. 8038783


8. Messanvi A., Zhang H., Neplokh V., Julien F.H., Bayle F., Foldyna M.F., Bougerol C., Gautier E., Babichev A., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Investigation of photovoltaic properties of single core-shell GaN/InGaN wires // ACS Applied Materials and Interfaces - 2015, Vol. 7, No. 39, pp. 21898-21906


9. Kudryashov D., Babichev A.V., Nikitina E., Gudovskikh A., Kladko P. Photoluminescence observation from zinc oxide formed by magnetron sputtering at room temperature // Journal of Physics: Conference Series - 2015, Vol. 643, pp. 012013


10. Babichev A.V., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I. Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 9, pp. 1127-1132


11. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


12. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Agustin M., Ledentsov N.N., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Continuous wave and modulation performance of 1550 nm band wafer-fused VCSELs with MBE-grown InP-based active region and GaAs-based DBRs // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10122, pp. 1012208


13. Kudryashov D.A., Gudovskikh A.S., Zelentsov K.S., Mozharov A.M., Babichev A.V., Filimonov A.V. The temperature dependence of the electrical conductivity in Cu2O thin films grown by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012013


14. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433


15. Babichev A.V., Rykov S.A., Tchernycheva M., Smirnov A.N., Davydov V.Y., Kumzerov Y.A., Butko V.Y. Influence of Substrate Microstructure on the Transport Properties of CVD-Graphene // ACS Applied Materials and Interfaces - 2016, Vol. 8, No. 1, pp. 240-246


16. Tchernycheva M., Dai X., Messanvi A., Zhang H., Neplokh V., Lavenus P., Guan N., Julien F.H., Rigutti L., Babichev A., Eymery J., Durand C. Nitride nanowire light emitting diodes // 17th International Conference on Transparent Optical Networks, ICTON 2015 - 2015, Vol. 2015, pp. 7193550


17. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Березовская Т.Н., Неведомский В.Н. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440-1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1434-1438


18. Babichev A.V., Zhang H., Guan N., Egorov A.Y., Julien F.H., Messanvi A., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 8, pp. 1097-1101


19. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion // AIP Conference Proceedings - 2017, Vol. 1874, pp. 040019


20. Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Filimonov A.V., Novikov I.I., Egorov A.Y. Semiconductor light sources for near- and mid-infrared spectral ranges // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 2, pp. 022003


21. Babichev A.V., Denisov D.V., Filimonov A.V., Nevedomsky V.N., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Sokolovskii G.S., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Molecular-beam epitaxy of 7-8 um range quantum-cascade laser heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012081


22. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 745-749


23. Kurochkin A.S., Babichev A.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers in the 7-8 um spectral range with full top metallization // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 993, No. 1, pp. 012031


24. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Egorov A.Y. Lasing of metamorphic hybrid 1300nm spectral band VCSEL under optical pumping up to 120 °C // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10098, pp. 1009811


25. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


26. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1522-1526


27. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 76-81


28. Neplokh V., Messanvi A., Zhang H., Julien F.H., Babichev A.V., Eymery J., Durand C., Tchernycheva M. Substrate-Free InGaN/GaN Nanowire Light-Emitting Diodes // Nanoscale Research Letters - 2015, Vol. 10, pp. 447


29. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 9. - С. 1034-1037


30. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 1082-1085


31. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 170


32. Babichev A.V., Sokolovskii G.S., Ustinov V.M., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of 8-9 mu m spectral range // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 173


33. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them // Optics and spectroscopy - 2018, Vol. 125, No. 2, pp. 238-242


34. Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012082


35. Kudryashov D.A., Gudovskikh A.S., Babichev A.V., Filimonov A.V., Mozharov A.M., Agekyan V.F., Borisov E.V., Serov A.Y., Filosofov N.G. Nanoscale Cu2O films: Radio-frequency magnetron sputtering and structural and optical studies // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 1, pp. 110-114


36. Babichev A.V., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Sirbu A., Mikhailov S., Iakovlev V., Blokhin S.A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. Vertical-Cavity Surface-Emitting 1.55-?m Lasers Fabricated by Fusion // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 1, pp. 24-27


37. Zhang H., Dai X., Guan N., Messanvi A., Neplokh V., Piazza V., Vallo M., Bougerol C., Julien F.H., Babichev A.V., Cavassilas N., Bescond M., Michelini F.V., Foldyna M.F., Gautier E., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Flexible Photodiodes Based on Nitride Core/Shell p-n Junction Nanowires // ACS Applied Materials and Interfaces - 2016, Vol. 8, No. 39, pp. 26198-26206


38. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum // Technical Physics Letters - 2017, Vol. 43, No. 7, pp. 666-669


39. Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе // Оптика и спектроскопия - 2018. - Т. 125. - № 2. - С. 229-233


40. Guan N., Dai X., Babichev A.V., Julien F.H., Tchernycheva M. Flexible inorganic light emitting diodes based on semiconductor nanowires // Chemical Science - 2017, Vol. 8, No. 12, pp. 7904-7911


41. Guan N., Babichev A., Foldyna M., Denisov D., Julien F.H., Tchernycheva M. Optimization of the optical coupling in nanowire-based integrated photonic platforms by FDTD simulation // Beilstein Journal of Nanotechnology - 2018, Vol. 9, pp. 2248-2254


42. Tchernycheva M., Neplokh V., Zhang H., Lavenus P., Rigutti L., Bayle F., Julien F.H., Babichev A., Jacopin G., Largeau L., Ciechonski R.R., Vescovi G., Kryliouk O.M. Core-Shell InGaN/GaN Nanowire Light Emitting Diodes analyzed by Electron Beam Induced Current Microscopy and Cathodoluminescence Mapping // Nanoscale - 2015, Vol. 7, No. 27, pp. 11692-11701


43. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 284-288


44. Egorov A.Y., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Nikitina E.V., Tchernycheva M., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-µm under current pumping // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1527-1530


45. Ganbarova T.S., Babichev A.V., Rykov S.A. Scanning tunneling microscopy of a graphene layer placed on a micro structured substrate // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 816, No. 1, pp. 012032


46. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415


47. Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 mu m // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1299–1303


48. Kumaresan V., Largeau L., Madouri A., Glas F., Zhang H., Oehler F., Cavanna A., Babichev A.V., Travers L., Gogneau N., Tchernycheva M., Harmand J.C. Epitaxy of GaN Nanowires on Graphene // Nano Letters - 2016, Vol. 16, No. 8, pp. 4895-4902


49. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 624-627


50. Егоров А.Ю., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Никитина Е.В., Tchernycheva M., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1574-1577